Imprimer la page
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRLML2803TRPBF
Code Commande97K2352
Egalement appeléSP001572964
Fiche technique
9 795 En Stock
Vous en voulez davantage ?
expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,116 $ |
| 10+ | 0,116 $ |
| 25+ | 0,116 $ |
| 50+ | 0,116 $ |
| 100+ | 0,116 $ |
| 250+ | 0,116 $ |
| 500+ | 0,106 $ |
| 1000+ | 0,106 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
0,12 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRLML2803TRPBF
Code Commande97K2352
Egalement appeléSP001572964
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id850mA
On Resistance Rds(on)0.3ohm
Drain Source On State Resistance0.25ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd400mW
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation400mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
The IRLML2803PBF is a N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance. Fifth generation HEXFETs utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET® Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
- Low profile (<lt/>1.1mm)
- Ultra low on-resistance
- ±20V gate-source voltage
- Halogen-free
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.3ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
850mA
Drain Source On State Resistance
0.25ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
400mW
Power Dissipation
400mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour IRLML2803TRPBF
3 produit(s) trouvé(s)
Produits associés
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits