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IRLR024NTRPBF
Power MOSFET, N Channel, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRLR024NTRPBF
Code Commande63J7621
Egalement appeléSP001578872
Fiche technique
13 En Stock
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,270 $ |
| 10+ | 0,930 $ |
| 25+ | 0,850 $ |
| 50+ | 0,769 $ |
| 100+ | 0,688 $ |
| 250+ | 0,637 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,27 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRLR024NTRPBF
Code Commande63J7621
Egalement appeléSP001578872
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id17A
Drain Source On State Resistance0.065ohm
On Resistance Rds(on)0.065ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd45W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Transistor Case StyleTO-252AA
Power Dissipation45W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Qualification-
Product Range-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
The IRLR024NTRPBF is a HEXFET® fifth generation single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient device for use in a wide variety of applications. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation level up to 1.5W is possible in typical surface-mount applications.
- Logic level gate drive
- Advanced process technology
- Fully avalanche rating
- Dynamic dV/dt rating
Applications
Power Management
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
0.065ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
TO-252AA
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
17A
On Resistance Rds(on)
0.065ohm
Power Dissipation Pd
45W
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation
45W
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (4)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits