Imprimer la page
IRLU024NPBF
Power MOSFET, N Channel, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-251, Through Hole
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRLU024NPBF
Code Commande63J7671
Egalement appeléSP001553260
Fiche technique
781 En Stock
Vous en voulez davantage ?
expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,160 $ |
| 10+ | 0,987 $ |
| 100+ | 0,534 $ |
| 500+ | 0,501 $ |
| 1000+ | 0,497 $ |
| 2500+ | 0,494 $ |
| 12000+ | 0,490 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
1,16 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRLU024NPBF
Code Commande63J7671
Egalement appeléSP001553260
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id17A
On Resistance Rds(on)0.065ohm
Drain Source On State Resistance0.065ohm
Transistor Case StyleTO-251AA
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd38W
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation46W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
The IRLU024NPBF is a 55V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using advanced planar technology.
- 175°C Operating temperature
- Dynamic dV/dt rating
- Fully avalanche rated
- Logic level gate drive
Applications
Power Management
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
55V
On Resistance Rds(on)
0.065ohm
Transistor Case Style
TO-251AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
17A
Drain Source On State Resistance
0.065ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
38W
Power Dissipation
46W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documents techniques (3)
Produits associés
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit