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ISC012N04LM6ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 238 A, 0.001 ohm, TDSON, Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantISC012N04LM6ATMA1
Code Commande
Mise en bobine60AJ3902
Bandes découpées60AJ3902
Gamme de produitOptiMOS 6 Series
Votre numéro de pièce
Fiche technique
10 888 En Stock
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Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,830 $ |
| 10+ | 3,230 $ |
| 25+ | 2,920 $ |
| 50+ | 2,630 $ |
| 100+ | 2,330 $ |
| 250+ | 2,130 $ |
| 500+ | 1,940 $ |
| 1000+ | 1,890 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantISC012N04LM6ATMA1
Code Commande
Mise en bobine60AJ3902
Bandes découpées60AJ3902
Gamme de produitOptiMOS 6 Series
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id238A
On Resistance Rds(on)0.001ohm
Drain Source On State Resistance1000µohm
Transistor Case StyleTDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
Power Dissipation Pd125W
Power Dissipation125W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS 6 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
On Resistance Rds(on)
0.001ohm
Transistor Case Style
TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
125W
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS 6 Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
238A
Drain Source On State Resistance
1000µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.6V
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit