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ISP20EP10LMXTSA1
MOSFET, P-CH, 100V, SOT-223-4 ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantISP20EP10LMXTSA1
Code Commande90AJ6126
Gamme de produitOptiMOS Series
Fiche technique
Options de conditionnement
1 151 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,417 $ |
| 10+ | 0,284 $ |
| 25+ | 0,252 $ |
| 50+ | 0,234 $ |
| 100+ | 0,216 $ |
| 250+ | 0,199 $ |
| 500+ | 0,189 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
2,08 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantISP20EP10LMXTSA1
Code Commande90AJ6126
Gamme de produitOptiMOS Series
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id990mA
On Resistance Rds(on)1.775ohm
Drain Source On State Resistance1.7754ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation4.2W
Power Dissipation Pd4.2W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeOptiMOS Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
1.775ohm
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
4.2W
No. of Pins
4Pins
Product Range
OptiMOS Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
990mA
Drain Source On State Resistance
1.7754ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
Power Dissipation Pd
4.2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits