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SPA20N60C3XKSA1
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 20.7 A, 0.19 ohm, TO-220FP, Through Hole
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantSPA20N60C3XKSA1
Code Commande16M4990
Egalement appeléSPA20N60C3, SP000216354
Fiche technique
229 En Stock
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,430 $ |
| 10+ | 3,430 $ |
| 25+ | 3,430 $ |
| 50+ | 3,340 $ |
| 100+ | 3,050 $ |
| 250+ | 2,780 $ |
| 500+ | 2,520 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
3,43 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantSPA20N60C3XKSA1
Code Commande16M4990
Egalement appeléSPA20N60C3, SP000216354
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id20.7A
On Resistance Rds(on)0.16ohm
Drain Source On State Resistance0.19ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd34.5W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation34.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Aperçu du produit
The SPA20N60C3 is a 650V N-channel CoolMOS™ Power MOSFET with low specific on-state resistance. The CoolMOS™ MOSFET offers a significant reduction of conduction, switching and driving losses and enable high power density and efficiency for superior power conversion systems. The latest state-of-the-art generation of high voltage power MOSFETs makes AC-DC power supplies more efficient, more compact, lighter and cooler than ever before.
- Very low energy storage in output capacitance (Eoss) at 400V
- Low gate charge (Qg)
- High efficiency and power density
- Outstanding performance
- High reliability
- Easy to use
Applications
Computers & Computer Peripherals, Communications & Networking, Consumer Electronics, Power Management
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.16ohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
20.7A
Drain Source On State Resistance
0.19ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
34.5W
Power Dissipation
34.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit