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SPD04N60C3ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 4.5 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantSPD04N60C3ATMA1
Code Commande47W3756
Egalement appeléSPD04N60C3, SP001117764
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Fiche technique
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,980 $ |
| 10+ | 2,780 $ |
| 100+ | 1,910 $ |
| 500+ | 1,600 $ |
| 1000+ | 1,490 $ |
| 2500+ | 1,330 $ |
| 5000+ | 1,290 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
3,98 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantSPD04N60C3ATMA1
Code Commande47W3756
Egalement appeléSPD04N60C3, SP001117764
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id4.5A
On Resistance Rds(on)0.85ohm
Drain Source On State Resistance0.95ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd50W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation50W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The SPD04N60C3 is a 650V CoolMOS™ N-channel Power MOSFET features ultra-low gate current. It is suitable for server, telecom, PC power and adapter applications.
- New revolutionary high voltage technology
- Extreme dV/dt rated
- High peak current capability
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Improved transconductance
- Periodic avalanche rated
- Low specific ON-state resistance
- Very low energy storage in output capacitance (Eoss)@400V
- Field proven CoolMOS™ quality
- High efficiency and power density
- Outstanding performance
- High reliability
- Ease of use
Applications
Industrial, Communications & Networking, Consumer Electronics, Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.85ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
4.5A
Drain Source On State Resistance
0.95ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
50W
Power Dissipation
50W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit