Imprimer la page
SPW47N60C3FKSA1
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 47 A, 70 mohm, TO-247, Through Hole
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantSPW47N60C3FKSA1
Code Commande98K0744
Egalement appeléSPW47N60C3, SP000013953
Fiche technique
2 695 En Stock
Vous en voulez davantage ?
319 Livraison dans 1-3 jours ouvrables(US stock)
2376 Livraison dans 2-4 jours ouvrables(UK stock)
Commander avant 21:00
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 16,700 $ |
| 10+ | 16,410 $ |
| 25+ | 9,680 $ |
| 50+ | 9,150 $ |
| 100+ | 8,800 $ |
| 480+ | 8,610 $ |
| 720+ | 8,460 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
16,70 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantSPW47N60C3FKSA1
Code Commande98K0744
Egalement appeléSPW47N60C3, SP000013953
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id47A
Drain Source On State Resistance70mohm
On Resistance Rds(on)0.07ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd415W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation415W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
The SPW47N60C3 is a 650V N-channel CoolMOS™ Power MOSFET with low specific on-state resistance. The CoolMOS™ MOSFET offers a significant reduction of conduction, switching and driving losses and enable high power density and efficiency for superior power conversion systems. The latest state-of-the-art generation of high voltage power MOSFETs makes AC-DC power supplies more efficient, more compact, lighter and cooler than ever before.
- Very low energy storage in output capacitance (Eoss) at 400V
- Low gate charge (Qg)
- High efficiency and power density
- Outstanding performance
- High reliability
- Easy to use
Applications
Computers & Computer Peripherals, Communications & Networking, Consumer Electronics, Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
70mohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
47A
On Resistance Rds(on)
0.07ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
415W
Power Dissipation
415W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour SPW47N60C3FKSA1
2 produit(s) trouvé(s)
Produits associés
7 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit