Imprimer la page
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Réf. FabricantIS42VM16160K-75BLI
Code Commande29X5177
Fiche technique
696 En Stock
Vous en voulez davantage ?
expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
Quantité | Prix |
---|---|
1+ | 4,480 $ |
10+ | 4,480 $ |
25+ | 4,480 $ |
50+ | 4,480 $ |
100+ | 4,480 $ |
250+ | 4,480 $ |
696+ | 4,480 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
4,48 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Réf. FabricantIS42VM16160K-75BLI
Code Commande29X5177
Fiche technique
DRAM TypeMobile SDR
Memory Density256Mbit
Memory Configuration16M x 16bit
Clock Frequency Max133MHz
IC Case / PackageBGA
No. of Pins54Pins
Supply Voltage Nom1.8V
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range-
MSLMSL 3 - 168 hours
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Aperçu du produit
IS42VM16160K-75BLI is a mobile 268,435,456 bits CMOS synchronous DRAM that organized as 4 banks of 4,194,304 words x 16bits. This product is offering fully synchronous operation and is referenced to a positive edge of the clock. All inputs and outputs are synchronized with the rising edge of the clock input. The data paths are internally pipelined to achieve high bandwidth. All input and output voltage levels are compatible with LVCMOS.
- Auto refresh and self-refresh, all pins are compatible with the LVCMOS interface
- 8K refresh cycle / 64ms
- Programmable burst length and burst type, 1, 2, 4, 8 or full page for sequential burst
- Programmable CAS latency is 2,3 clocks
- All inputs and outputs referenced to the positive edge of the system clock
- Data mask function by DQM, internal 4 banks operation, burst read single write operation
- Special function support, partial array self refresh, auto temperature compensated self refresh
- Automatic precharge, includes CONCURRENT auto precharge mode and controlled precharge
- 16Mx16 configuration, 133MHz frequency, 7.5ns speed, VDD = 1.8V
- 54-ball BGA package, industrial temperature rating range from -40°C to +85°C
Spécifications techniques
DRAM Type
Mobile SDR
Memory Configuration
16M x 16bit
IC Case / Package
BGA
Supply Voltage Nom
1.8V
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Memory Density
256Mbit
Clock Frequency Max
133MHz
No. of Pins
54Pins
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
85°C
MSL
MSL 3 - 168 hours
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (23-Jan-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit