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DSEI2X101-12A
Diode Module, 1.2 kV, 92 A, 1.61 V, Dual Isolated, SOT-227B, 4 Pins
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FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantDSEI2X101-12A
Code Commande58M5212
Gamme de produitDSEI2
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 37 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 61,410 $ |
| 5+ | 55,990 $ |
| 10+ | 50,570 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
61,41 $
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Informations produit
FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantDSEI2X101-12A
Code Commande58M5212
Gamme de produitDSEI2
Fiche technique
Repetitive Peak Reverse Voltage1.2kV
Average Forward Current92A
Forward Voltage Max1.61V
Diode Module ConfigurationDual Isolated
Diode Case StyleSOT-227B
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Forward Surge Current1.2kA
Diode MountingPanel
Product RangeDSEI2
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Aperçu du produit
The DSEI2X101-12A is a dual isolated fast recovery Epitaxial Diode features planar passivated chips, improved thermal behaviour, very soft recovery behaviour, avalanche voltage rated for reliable operation and soft reverse recovery for low EMI/RFI.
- Low leakage current
- Short recovery time
- 1200V Maximum repetitive reverse blocking voltage
- 250W Total power dissipation
- 900A Maximum forward surge current
- 150A RMS current
Applications
Signal Processing, Power Management
Spécifications techniques
Repetitive Peak Reverse Voltage
1.2kV
Forward Voltage Max
1.61V
Diode Case Style
SOT-227B
Operating Temperature Max
150°C
Diode Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Average Forward Current
92A
Diode Module Configuration
Dual Isolated
No. of Pins
4Pins
Forward Surge Current
1.2kA
Product Range
DSEI2
Documents techniques (2)
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1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Jan-2023)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits