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IXFB30N120P
MOSFET, N-CH, 1.2KV, 30A, PLUS264 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXFB30N120P
Code Commande71AH4537
Gamme de produitPolar HiPerFET
Fiche technique
193 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 61,030 $ |
| 5+ | 55,760 $ |
| 10+ | 50,740 $ |
| 25+ | 49,890 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
61,03 $
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Informations produit
FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXFB30N120P
Code Commande71AH4537
Gamme de produitPolar HiPerFET
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Continuous Drain Current Id30A
On Resistance Rds(on)0.35ohm
Drain Source On State Resistance0.35ohm
Transistor Case StylePLUS264
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max6.5V
Power Dissipation1.25kW
Power Dissipation Pd1.25kW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangePolar HiPerFET
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
On Resistance Rds(on)
0.35ohm
Transistor Case Style
PLUS264
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.25kW
No. of Pins
3Pins
Product Range
Polar HiPerFET
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
30A
Drain Source On State Resistance
0.35ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
6.5V
Power Dissipation Pd
1.25kW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits