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IXFH12N120P
Power MOSFET, N Channel, 1.2 kV, 12 A, 1.35 ohm, TO-247, Through Hole
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Informations produit
FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXFH12N120P
Code Commande76Y3352
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Continuous Drain Current Id12A
Drain Source On State Resistance1.35ohm
On Resistance Rds(on)1.35ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max6.5V
Power Dissipation543W
Power Dissipation Pd543W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Drain Source On State Resistance
1.35ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
543W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
12A
On Resistance Rds(on)
1.35ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
6.5V
Power Dissipation Pd
543W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit