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IXFH22N65X2
MOSFET, N-CH, 650V, 22A, TO-247
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FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXFH22N65X2Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant29 semaines
Code Commande02AC9797
Gamme de produitHiPerFET
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 29 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 13,360 $ |
| 10+ | 11,550 $ |
| 25+ | 10,090 $ |
| 50+ | 9,490 $ |
| 100+ | 8,250 $ |
| 250+ | 6,890 $ |
| 500+ | 6,690 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
13,36 $
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Informations produit
FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXFH22N65X2Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant29 semaines
Code Commande02AC9797
Gamme de produitHiPerFET
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id22A
On Resistance Rds(on)0.145ohm
Drain Source On State Resistance0.145ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation Pd390W
Power Dissipation390W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHiPerFET
Qualification-
SVHCLead (17-Jan-2023)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.145ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
390W
No. of Pins
3Pins
Product Range
HiPerFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
22A
Drain Source On State Resistance
0.145ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation
390W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (17-Jan-2023)
Produits de remplacement pour IXFH22N65X2
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (17-Jan-2023)
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Certificat de conformité du produit