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IXFH36N50P
MOSFET, N-CH, 500V, 36A, TO-247
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FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXFH36N50PCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant29 semaines
Code Commande02AC9799
Gamme de produitPolar HiPerFET
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 29 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 19,090 $ |
| 10+ | 17,210 $ |
| 25+ | 15,600 $ |
| 50+ | 14,610 $ |
| 100+ | 13,640 $ |
| 250+ | 11,370 $ |
| 500+ | 11,050 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
19,09 $
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Informations produit
FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXFH36N50PCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant29 semaines
Code Commande02AC9799
Gamme de produitPolar HiPerFET
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id36A
On Resistance Rds(on)0.17ohm
Drain Source On State Resistance0.17ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation540W
Power Dissipation Pd540W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangePolar HiPerFET
Qualification-
SVHCLead (17-Jan-2023)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
500V
On Resistance Rds(on)
0.17ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
540W
No. of Pins
3Pins
Product Range
Polar HiPerFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
36A
Drain Source On State Resistance
0.17ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation Pd
540W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (17-Jan-2023)
Produits de remplacement pour IXFH36N50P
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (17-Jan-2023)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit