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IXFH42N60P3
MOSFET, N-CH, 600V, 42A, 150DEG C, 830W
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
969 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 13,720 $ |
| 10+ | 12,670 $ |
| 25+ | 11,610 $ |
| 60+ | 10,550 $ |
| 120+ | 10,440 $ |
| 270+ | 10,330 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
13,72 $
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Informations produit
FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXFH42N60P3
Code Commande68X2861
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id42A
On Resistance Rds(on)0.185ohm
Drain Source On State Resistance0.185ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd830W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation830W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Aperçu du produit
The IXFH42N60P3 is a Polar3™ HiPerFET™ N-channel enhancement-mode Power MOSFET features avalanche rated and fast intrinsic rectifier.
- International standard package
- Low RDS (ON) and QG
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
On Resistance Rds(on)
0.185ohm
Transistor Case Style
TO-247
Power Dissipation Pd
830W
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
42A
Drain Source On State Resistance
0.185ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
830W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Jan-2023)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits