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IXFH80N65X2
MOSFET, N-CH, 650V, 80A, TO-247
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FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXFH80N65X2
Code Commande02AC9803
Gamme de produitHiPerFET
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 14 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 20,550 $ |
| 10+ | 14,970 $ |
| 25+ | 14,500 $ |
| 60+ | 13,750 $ |
| 120+ | 13,250 $ |
| 270+ | 12,720 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
20,55 $
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXFH80N65X2
Code Commande02AC9803
Gamme de produitHiPerFET
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source On State Resistance0.038ohm
On Resistance Rds(on)0.038ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd890W
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation890W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHiPerFET
Qualification-
SVHCLead (17-Jan-2023)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.038ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HiPerFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
80A
On Resistance Rds(on)
0.038ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
890W
Power Dissipation
890W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (17-Jan-2023)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (17-Jan-2023)
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Certificat de conformité du produit