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IXFK100N65X2
MOSFET, N-CH, 650V, 100A, TO-246P
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXFK100N65X2
Code Commande02AC9804
Gamme de produitHiPerFET
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 48 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 27,040 $ |
| 5+ | 22,260 $ |
| 10+ | 18,730 $ |
| 25+ | 18,090 $ |
| 50+ | 17,520 $ |
| 100+ | 17,180 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
27,04 $
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Informations produit
FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXFK100N65X2
Code Commande02AC9804
Gamme de produitHiPerFET
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id100A
On Resistance Rds(on)0.03ohm
Drain Source On State Resistance30mohm
Transistor Case StyleTO-264P
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd1.04kW
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation1.04kW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHiPerFET
Qualification-
SVHCLead (17-Jan-2023)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.03ohm
Transistor Case Style
TO-264P
Power Dissipation Pd
1.04kW
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HiPerFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Drain Source On State Resistance
30mohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.04kW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (17-Jan-2023)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (17-Jan-2023)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits