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IXFK120N65X2
MOSFET, N-CH, 650V, 120A, TO-246P
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FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXFK120N65X2Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant29 semaines
Code Commande02AC9805
Gamme de produitHiPerFET
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 29 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 41,790 $ |
| 5+ | 39,730 $ |
| 10+ | 37,450 $ |
| 25+ | 34,930 $ |
| 50+ | 32,660 $ |
| 100+ | 31,960 $ |
| 250+ | 31,060 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
41,79 $
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Informations produit
FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXFK120N65X2Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant29 semaines
Code Commande02AC9805
Gamme de produitHiPerFET
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id120A
Drain Source On State Resistance0.024ohm
On Resistance Rds(on)0.024ohm
Transistor Case StyleTO-264P
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation1.25kW
Power Dissipation Pd1.25kW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHiPerFET
Qualification-
SVHCLead (17-Jan-2023)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.024ohm
Transistor Case Style
TO-264P
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.25kW
No. of Pins
3Pins
Product Range
HiPerFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
120A
On Resistance Rds(on)
0.024ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation Pd
1.25kW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (17-Jan-2023)
Produits de remplacement pour IXFK120N65X2
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (17-Jan-2023)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit