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Informations produit
FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXFK48N50
Code Commande97K2546
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id48A
Drain Source On State Resistance0.1ohm
On Resistance Rds(on)0.1ohm
Transistor Case StyleTO-264
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd500W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation500W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Aperçu du produit
The IXFK48N50 is a single N-channel enhancement-mode Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™). It features low static drain-to-source ON-resistance HDMOS™ process and high power density. It is suitable for DC-to-DC converters, synchronous rectification, battery chargers, DC choppers, switch-mode and resonant-mode power supplies.
- International standard packages
- Unclamped inductive switching (UIS) rating
- Easy to mount
- Space saving
- UL94V-0 Flammability rating
Applications
Power Management, Lighting
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.1ohm
Transistor Case Style
TO-264
Power Dissipation Pd
500W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
48A
On Resistance Rds(on)
0.1ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
500W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Documents techniques (2)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Jan-2023)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits