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IXFN420N10T
Bipolar (BJT) Single Transistor, N Channel, 420 A, 100 V, 0.0023 ohm, 10 V, 5 V
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FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXFN420N10T
Code Commande71AH4551
Gamme de produitGigaMOS HiperFET Series
Fiche technique
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 44,850 $ |
| 5+ | 38,940 $ |
| 10+ | 34,380 $ |
| 30+ | 33,210 $ |
| 50+ | 32,150 $ |
| 100+ | 31,530 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
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44,85 $
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Informations produit
FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXFN420N10T
Code Commande71AH4551
Gamme de produitGigaMOS HiperFET Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id420A
Drain Source Voltage Vds100V
On Resistance Rds(on)0.0023ohm
Drain Source On State Resistance0.0023ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation Pd1.07kW
Power Dissipation1.07kW
Operating Temperature Max175°C
Product RangeGigaMOS HiperFET Series
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
420A
On Resistance Rds(on)
0.0023ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
1.07kW
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
To Be Advised
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0023ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation
1.07kW
Product Range
GigaMOS HiperFET Series
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit