Imprimer la page
IXFN420N10T
MOSFET MODULE, N-CHANNEL, 100V, 420A
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXFN420N10T
Code Commande71AH4551
Gamme de produitGigaMOS HiperFET Series
Votre numéro de pièce
Fiche technique
260 En Stock
Vous en voulez davantage ?
97 Livraison dans 1-3 jours ouvrables(US stock)
163 Livraison dans 2-4 jours ouvrables(UK stock)
Commander avant 21:00
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 46,190 $ |
| 5+ | 39,610 $ |
| 10+ | 36,920 $ |
| 30+ | 35,690 $ |
| 50+ | 34,530 $ |
| 100+ | 33,880 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
46,19 $
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXFN420N10T
Code Commande71AH4551
Gamme de produitGigaMOS HiperFET Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id420A
Drain Source Voltage Vds100V
On Resistance Rds(on)0.0023ohm
Drain Source On State Resistance2300µohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation Pd1.07kW
Power Dissipation1.07kW
Operating Temperature Max175°C
Product RangeGigaMOS HiperFET Series
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
420A
On Resistance Rds(on)
0.0023ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
1.07kW
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
To Be Advised
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
2300µohm
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation
1.07kW
Product Range
GigaMOS HiperFET Series
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit