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IXFP5N100P
MOSFET, N-CH, 1KV, 5A, TO-220 ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXFP5N100P
Code Commande71AH4555
Gamme de produitPolar HiPerFET
Fiche technique
353 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 7,650 $ |
| 10+ | 6,930 $ |
| 25+ | 5,700 $ |
| 50+ | 4,480 $ |
| 100+ | 4,350 $ |
| 250+ | 4,290 $ |
| 500+ | 3,780 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
7,65 $
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Informations produit
FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXFP5N100P
Code Commande71AH4555
Gamme de produitPolar HiPerFET
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds1kV
Continuous Drain Current Id5A
On Resistance Rds(on)2.8ohm
Drain Source On State Resistance2.8ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max6V
Power Dissipation250W
Power Dissipation Pd250W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangePolar HiPerFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1kV
On Resistance Rds(on)
2.8ohm
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
250W
No. of Pins
3Pins
Product Range
Polar HiPerFET
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
5A
Drain Source On State Resistance
2.8ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
6V
Power Dissipation Pd
250W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (12-Jan-2017)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits