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IXFX32N100Q3
MOSFET, N-CH, 1KV, 32A, PLUS247
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FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXFX32N100Q3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant29 semaines
Code Commande02AC9822
Gamme de produitHiperFET
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 29 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 73,570 $ |
| 5+ | 70,710 $ |
| 10+ | 67,520 $ |
| 25+ | 64,010 $ |
| 50+ | 60,840 $ |
| 100+ | 59,880 $ |
| 250+ | 58,600 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
73,57 $
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Informations produit
FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXFX32N100Q3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant29 semaines
Code Commande02AC9822
Gamme de produitHiperFET
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds1kV
Continuous Drain Current Id32A
On Resistance Rds(on)0.32ohm
Drain Source On State Resistance0.32ohm
Transistor Case StylePLUS247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max6.5V
Power Dissipation Pd1.25kW
Power Dissipation1.25kW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHiperFET
Qualification-
SVHCLead (17-Jan-2023)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1kV
On Resistance Rds(on)
0.32ohm
Transistor Case Style
PLUS247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
1.25kW
No. of Pins
3Pins
Product Range
HiperFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
32A
Drain Source On State Resistance
0.32ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
6.5V
Power Dissipation
1.25kW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (17-Jan-2023)
Produits de remplacement pour IXFX32N100Q3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (17-Jan-2023)
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Certificat de conformité du produit