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IXFN40N110P
Bipolar (BJT) Single Transistor, N Channel, 34 A, 1.1 kV, 0.26 ohm, 10 V, 6.5 V
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FabricantLITTELFUSE
Réf. FabricantIXFN40N110P
Code Commande14AN3393
Gamme de produitPolar HiPerFET Series
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 28 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 250+ | 118,560 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 300
Multiple: 10
35 568,00 $
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Informations produit
FabricantLITTELFUSE
Réf. FabricantIXFN40N110P
Code Commande14AN3393
Gamme de produitPolar HiPerFET Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id34A
Drain Source Voltage Vds1.1kV
Drain Source On State Resistance0.26ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max6.5V
Power Dissipation890W
Operating Temperature Max150°C
Product RangePolar HiPerFET Series
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.1kV
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
890W
Product Range
Polar HiPerFET Series
Continuous Drain Current Id
34A
Drain Source On State Resistance
0.26ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
6.5V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit