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IXTA1N200P3HV
Power MOSFET, N Channel, 2 kV, 1 A, 40 ohm, TO-263HV, Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 9,080 $ |
| 25+ | 8,380 $ |
| 100+ | 7,260 $ |
| 250+ | 7,020 $ |
| 500+ | 6,700 $ |
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Informations produit
FabricantLITTELFUSE
Réf. FabricantIXTA1N200P3HV
Code Commande03AH1261
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds2kV
Continuous Drain Current Id1A
Drain Source On State Resistance40ohm
On Resistance Rds(on)40ohm
Transistor Case StyleTO-263HV
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd125W
Power Dissipation125W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
2kV
Drain Source On State Resistance
40ohm
Transistor Case Style
TO-263HV
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
125W
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
SVHC
To Be Advised
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
1A
On Resistance Rds(on)
40ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits