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IXTA3N150HV
Power MOSFET, N Channel, 1.5 kV, 3 A, 7.3 ohm, TO-263, Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 17,740 $ |
| 5+ | 15,640 $ |
| 10+ | 13,540 $ |
| 25+ | 11,440 $ |
| 100+ | 9,360 $ |
| 500+ | 8,800 $ |
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Informations produit
FabricantLITTELFUSE
Réf. FabricantIXTA3N150HV
Code Commande03AH1356
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1.5kV
Continuous Drain Current Id3A
Drain Source On State Resistance7.3ohm
On Resistance Rds(on)7.3ohm
Transistor Case StyleTO-263
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation250W
Power Dissipation Pd250W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCTo Be Advised
Aperçu du produit
N-channel enhancement mode avalanche rated fast intrinsic diode suitable for use in high voltage power supplies, capacitor discharge applications and pulse circuits applications.
- High voltage power MOSFET
- Moulding epoxies meet UL94V-0 flammability classification
- High blocking voltage
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.5kV
Drain Source On State Resistance
7.3ohm
Transistor Case Style
TO-263
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
250W
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3A
On Resistance Rds(on)
7.3ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation Pd
250W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits