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IXTT16P60P
Power MOSFET, P Channel, 600 V, 16 A, 0.72 ohm, TO-268 (D3PAK), Surface Mount
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FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXTT16P60P
Code Commande03AH1824
Gamme de produitPolarP Series
Fiche technique
56 En Stock
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expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
Disponible jusqu à épuisement du stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 20,310 $ |
| 10+ | 18,600 $ |
| 25+ | 16,210 $ |
| 60+ | 13,810 $ |
| 120+ | 12,880 $ |
| 270+ | 11,930 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
20,31 $
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Informations produit
FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXTT16P60P
Code Commande03AH1824
Gamme de produitPolarP Series
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id16A
Drain Source On State Resistance0.72ohm
On Resistance Rds(on)0.72ohm
Transistor Case StyleTO-268 (D3PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation460W
Power Dissipation Pd460W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangePolarP Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.72ohm
Transistor Case Style
TO-268 (D3PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
460W
No. of Pins
3Pins
Product Range
PolarP Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
16A
On Resistance Rds(on)
0.72ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
460W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (12-Jan-2017)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits