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IXTY08N50D2
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 800 mA, 4.6 ohm, TO-252, Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,580 $ |
| 25+ | 2,760 $ |
| 100+ | 2,030 $ |
| 250+ | 1,920 $ |
| 500+ | 1,890 $ |
| 1000+ | 1,880 $ |
| 2500+ | 1,690 $ |
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Informations produit
FabricantLITTELFUSE
Réf. FabricantIXTY08N50D2
Code Commande03AH1903
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id800mA
Drain Source On State Resistance4.6ohm
On Resistance Rds(on)4.6ohm
Transistor Case StyleTO-252
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage0V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation Pd60W
Power Dissipation60W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCTo Be Advised
Aperçu du produit
N-channel depletion mode MOSFET suitable for use in audio amplifiers, start-up circuits, protection circuits, Ramp generators, current regulators and active loads applications.
- Normally ON mode
- Moulding epoxies meet UL94V-0 flammability classification
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
4.6ohm
Transistor Case Style
TO-252
Rds(on) Test Voltage
0V
Power Dissipation Pd
60W
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
800mA
On Resistance Rds(on)
4.6ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation
60W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits