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DN1509N8-G
Power MOSFET, N Channel, 90 V, 360 mA, 6 ohm, SOT-89, Surface Mount
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 52 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 25+ | 1,110 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 2000
Multiple: 2000
2 220,00 $
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Informations produit
FabricantMICROCHIP
Réf. FabricantDN1509N8-G
Code Commande85X3182
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds90V
Continuous Drain Current Id360mA
On Resistance Rds(on)3.2ohm
Drain Source On State Resistance6ohm
Transistor Case StyleSOT-89
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage0V
Power Dissipation Pd1.6W
Gate Source Threshold Voltage Max-
Power Dissipation1.6W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
90V
On Resistance Rds(on)
3.2ohm
Transistor Case Style
SOT-89
Rds(on) Test Voltage
0V
Gate Source Threshold Voltage Max
-
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
360mA
Drain Source On State Resistance
6ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
1.6W
Power Dissipation
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour DN1509N8-G
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit