Imprimer la page
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantMICROCHIP
Réf. FabricantSST39SF010A-70-4C-PHE
Code Commande92R4695
Gamme de produit5V Parallel NOR Flash Memories
Fiche technique
435 En Stock
Vous en voulez davantage ?
expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
Quantité | Prix |
---|---|
1+ | 4,020 $ |
10+ | 3,950 $ |
33+ | 3,880 $ |
55+ | 3,840 $ |
110+ | 3,780 $ |
506+ | 3,740 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
4,02 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantMICROCHIP
Réf. FabricantSST39SF010A-70-4C-PHE
Code Commande92R4695
Gamme de produit5V Parallel NOR Flash Memories
Fiche technique
Flash Memory TypeParallel NOR
Memory Size1Mbit
Memory Density1Mbit
Memory Configuration128K x 8bit
Flash Memory Configuration128K x 8bit
InterfacesParallel
IC Interface TypeParallel
Memory Case StyleDIP
IC Case / PackageDIP
No. of Pins32Pins
Clock Frequency Max14MHz
Clock Frequency14MHz
Access Time70ns
Supply Voltage Min4.5V
Supply Voltage Max5.5V
Supply Voltage Nom5V
IC MountingThrough Hole
Operating Temperature Min0°C
Operating Temperature Max70°C
Product Range5V Parallel NOR Flash Memories
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
The SST39SF010A-70-4C-PHE is a CMOS Multi-purpose Flash (MPF) device manufactured with SST proprietary, high performance CMOS SuperFlash technology. The split-gate cell design and thick oxide tunneling injector attain better reliability and manufacturability compared with alternate approaches. The SST39SF010A writes (program or erase) with a 4.5 to 5.5V power supply and conforms to JEDEC standard pinouts for x8 memories.
- Organized as 128k x8/256k x8/512k x8
- Single 4.5 to 5.5V read and write operations
- Superior reliability
- Low power consumption
- Sector-erase capability - Uniform 4kB sectors
- Fast read access time - 55 to 70ns
- Latched address and data
- Automatic write timing - Internal VPP generation
- End-of-write detection
- TTL I/O compatibility
- JEDEC standard - Flash EEPROM pinouts and command sets
Applications
Computers & Computer Peripherals
Spécifications techniques
Flash Memory Type
Parallel NOR
Memory Density
1Mbit
Flash Memory Configuration
128K x 8bit
IC Interface Type
Parallel
IC Case / Package
DIP
Clock Frequency Max
14MHz
Access Time
70ns
Supply Voltage Max
5.5V
IC Mounting
Through Hole
Operating Temperature Max
70°C
MSL
-
Memory Size
1Mbit
Memory Configuration
128K x 8bit
Interfaces
Parallel
Memory Case Style
DIP
No. of Pins
32Pins
Clock Frequency
14MHz
Supply Voltage Min
4.5V
Supply Voltage Nom
5V
Operating Temperature Min
0°C
Product Range
5V Parallel NOR Flash Memories
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (3)
Produits associés
4 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits