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TN2106N3-G
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 500 mA, 2.5 ohm, TO-92, Through Hole
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,320 $ |
| 10+ | 1,200 $ |
| 25+ | 1,090 $ |
| 50+ | 1,050 $ |
| 100+ | 1,010 $ |
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Informations produit
FabricantMICROCHIP
Réf. FabricantTN2106N3-G
Code Commande53Y4243
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id500mA
On Resistance Rds(on)2.5ohm
Drain Source On State Resistance2.5ohm
Transistor Case StyleTO-92
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.4V
Power Dissipation740mW
Power Dissipation Pd740mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
2.5ohm
Transistor Case Style
TO-92
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
740mW
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
500mA
Drain Source On State Resistance
2.5ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
2.4V
Power Dissipation Pd
740mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits