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MT29F512G08EBHBFJ4-R:B
Flash Memory, TLC NAND, 512 Gbit, 64G x 8bit, Parallel, VBGA, 132 Pins
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FabricantMICRON
Réf. FabricantMT29F512G08EBHBFJ4-R:B
Code Commande80AH7811
Gamme de produit3.3V Parallel NAND Flash Memories
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 55 semaine(s)
Informations produit
FabricantMICRON
Réf. FabricantMT29F512G08EBHBFJ4-R:B
Code Commande80AH7811
Gamme de produit3.3V Parallel NAND Flash Memories
Fiche technique
Flash Memory TypeTLC NAND
Memory Size512Gbit
Memory Density512Gbit
Memory Configuration64G x 8bit
Flash Memory Configuration64G x 8bit
InterfacesParallel
IC Interface TypeParallel
Memory Case StyleVBGA
IC Case / PackageVBGA
No. of Pins132Pins
Clock Frequency-
Clock Frequency Max-
Access Time-
Supply Voltage Min-
Supply Voltage Max-
Supply Voltage Nom3.3V
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min0°C
Operating Temperature Max70°C
Product Range3.3V Parallel NAND Flash Memories
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Spécifications techniques
Flash Memory Type
TLC NAND
Memory Density
512Gbit
Flash Memory Configuration
64G x 8bit
IC Interface Type
Parallel
IC Case / Package
VBGA
Clock Frequency
-
Access Time
-
Supply Voltage Max
-
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
70°C
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Memory Size
512Gbit
Memory Configuration
64G x 8bit
Interfaces
Parallel
Memory Case Style
VBGA
No. of Pins
132Pins
Clock Frequency Max
-
Supply Voltage Min
-
Supply Voltage Nom
3.3V
Operating Temperature Min
0°C
Product Range
3.3V Parallel NAND Flash Memories
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Jan-2023)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit