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FabricantMICRON
Réf. FabricantMT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F
Code Commande80AH7869
Gamme de produit1.8V Parallel NAND with Mobile LPDDR2 Flash Memories
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 53 semaine(s)
Informations produit
FabricantMICRON
Réf. FabricantMT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F
Code Commande80AH7869
Gamme de produit1.8V Parallel NAND with Mobile LPDDR2 Flash Memories
Fiche technique
Flash Memory TypeNAND with Mobile LPDDR2
Memory Size4Gbit
Memory Density4Gbit
Flash Memory Configuration512M x 8bit
Memory Configuration512M x 8bit
IC Interface TypeParallel
InterfacesParallel
Memory Case StyleVFBGA
IC Case / PackageVFBGA
No. of Pins162Pins
Clock Frequency533MHz
Clock Frequency Max533MHz
Access Time25ns
Supply Voltage Min1.7V
Supply Voltage Max1.95V
Supply Voltage Nom1.8V
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-30°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range1.8V Parallel NAND with Mobile LPDDR2 Flash Memories
Spécifications techniques
Flash Memory Type
NAND with Mobile LPDDR2
Memory Density
4Gbit
Memory Configuration
512M x 8bit
Interfaces
Parallel
IC Case / Package
VFBGA
Clock Frequency
533MHz
Access Time
25ns
Supply Voltage Max
1.95V
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
85°C
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Memory Size
4Gbit
Flash Memory Configuration
512M x 8bit
IC Interface Type
Parallel
Memory Case Style
VFBGA
No. of Pins
162Pins
Clock Frequency Max
533MHz
Supply Voltage Min
1.7V
Supply Voltage Nom
1.8V
Operating Temperature Min
-30°C
Product Range
1.8V Parallel NAND with Mobile LPDDR2 Flash Memories
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Jan-2023)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit