Imprimer la page
MT53D1024M32D4DT-046 WT:D
DRAM, LPDDR4, 32 Gbit, 1G x 32bit, 2.133 GHz, VFBGA, 200 Pins
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
1 092 En Stock
Vous en voulez davantage ?
expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
Disponible jusqu à épuisement du stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 32,860 $ |
| 5+ | 32,860 $ |
| 10+ | 32,860 $ |
| 25+ | 32,860 $ |
| 50+ | 32,860 $ |
| 100+ | 32,860 $ |
| 250+ | 32,860 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
32,86 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantMICRON
Réf. FabricantMT53D1024M32D4DT-046 WT:D
Code Commande83AH2735
Fiche technique
DRAM TypeMobile LPDDR4
Memory Density32Gbit
DRAM Density32Gbit
DRAM Memory Configuration1G x 32bit
Memory Configuration1G x 32bit
Clock Frequency2.133GHz
Clock Frequency Max2.133GHz
Memory Case StyleVFBGA
IC Case / PackageVFBGA
No. of Pins200Pins
Supply Voltage Nom1.1V
Access Time-
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-25°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (08-Jul-2021)
Aperçu du produit
MT53D1024M32D4DT-046 WT:D 8Gb mobile low-power DDR4 SDRAM with low VDDQ (LPDDR4X) is a high-speed CMOS, dynamic random-access memory. The device is internally configured with x16 I/O, 8-banks.
- 1.10V VDD2 / 0.60V VDDQ or 1.10V VDDQ operating voltage, 1024 Meg x 32 configuration
- LPDDR4, 4 die addressing, 468ps, tCK RL = 36/40 cycle time
- 16n prefetch DDR architecture, 8 internal banks per channel for concurrent operation
- Single-data-rate CMD/ADR entry, bidirectional/differential data strobe per byte lane
- Programmable READ and WRITE latencies (RL/WL)
- Programmable and on-the-fly burst lengths (BL = 16, 32)
- Directed per-bank refresh for concurrent bank operation and ease of command scheduling
- On-chip temperature sensor to control self refresh rate, partial-array self refresh (PASR)
- 200-ball WFBGA package
- Operating temperature range from -25°C to +85°C
Spécifications techniques
DRAM Type
Mobile LPDDR4
DRAM Density
32Gbit
Memory Configuration
1G x 32bit
Clock Frequency Max
2.133GHz
IC Case / Package
VFBGA
Supply Voltage Nom
1.1V
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
85°C
SVHC
No SVHC (08-Jul-2021)
Memory Density
32Gbit
DRAM Memory Configuration
1G x 32bit
Clock Frequency
2.133GHz
Memory Case Style
VFBGA
No. of Pins
200Pins
Access Time
-
Operating Temperature Min
-25°C
Product Range
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (08-Jul-2021)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit