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MT53E128M32D2FW-053 AUT ES:A
DRAM, Mobile LPDDR4, 4 Gbit, 128M x 32bit, 1.866 GHz, TFBGA, 200 Pins
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 42 semaine(s)
Informations produit
FabricantMICRON
Réf. FabricantMT53E128M32D2FW-053 AUT ES:A
Code Commande80AH8326
Fiche technique
DRAM TypeMobile LPDDR4
Memory Density4Gbit
DRAM Density4Gbit
Memory Configuration128M x 32bit
DRAM Memory Configuration128M x 32bit
Clock Frequency1.866GHz
Clock Frequency Max1.866GHz
Memory Case StyleTFBGA
IC Case / PackageTFBGA
No. of Pins200Pins
Supply Voltage Nom1.1V
Access Time535ps
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max125°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Spécifications techniques
DRAM Type
Mobile LPDDR4
DRAM Density
4Gbit
DRAM Memory Configuration
128M x 32bit
Clock Frequency Max
1.866GHz
IC Case / Package
TFBGA
Supply Voltage Nom
1.1V
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
125°C
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Memory Density
4Gbit
Memory Configuration
128M x 32bit
Clock Frequency
1.866GHz
Memory Case Style
TFBGA
No. of Pins
200Pins
Access Time
535ps
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Jan-2023)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit