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MT53E256M32D2DS-046 WT:B
DRAM, LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pins
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Informations produit
FabricantMICRON
Réf. FabricantMT53E256M32D2DS-046 WT:B
Code Commande80AH8364
Fiche technique
DRAM TypeMobile LPDDR4
DRAM Density8Gbit
Memory Density8Gbit
Memory Configuration256M x 32bit
DRAM Memory Configuration256M x 32bit
Clock Frequency2.133GHz
Clock Frequency Max2.133GHz
IC Case / PackageWFBGA
Memory Case StyleWFBGA
No. of Pins200Pins
Supply Voltage Nom1.1V
Access Time-
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-30°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Spécifications techniques
DRAM Type
Mobile LPDDR4
Memory Density
8Gbit
DRAM Memory Configuration
256M x 32bit
Clock Frequency Max
2.133GHz
Memory Case Style
WFBGA
Supply Voltage Nom
1.1V
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
85°C
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
DRAM Density
8Gbit
Memory Configuration
256M x 32bit
Clock Frequency
2.133GHz
IC Case / Package
WFBGA
No. of Pins
200Pins
Access Time
-
Operating Temperature Min
-30°C
Product Range
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Jan-2023)
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Certificat de conformité du produit