Imprimer la page
MT53E256M32D2DS-053 WT:B
DRAM, LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32bit, 1.866 GHz, WFBGA, 200 Pins
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantMICRON
Réf. FabricantMT53E256M32D2DS-053 WT:B
Code Commande83AH2738
Votre numéro de pièce
Fiche technique
Disponible sur commande
Contactez-moi quand le produit sera à nouveau en stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 56,950 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
56,95 $
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantMICRON
Réf. FabricantMT53E256M32D2DS-053 WT:B
Code Commande83AH2738
Fiche technique
DRAM TypeMobile LPDDR4
DRAM Density8Gbit
Memory Density8Gbit
DRAM Memory Configuration256M x 32bit
Memory Configuration256M x 32bit
Clock Frequency1.866GHz
Clock Frequency Max1.866GHz
IC Case / PackageWFBGA
Memory Case StyleWFBGA
No. of Pins200Pins
Supply Voltage Nom1.1V
IC MountingSurface Mount
Access Time-
Operating Temperature Min-30°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Aperçu du produit
MT53E256M32D2DS-053 WT:B is a 4Gb mobile low-power DDR4 SDRAM with low VDDQ (LPDDR4X) is a high-speed CMOS, dynamic random-access memory. The device is internally configured with x16 I/O, 8-banks.
- 8Gb total density, 3733Mb/s data rate per pin
- Operating voltage range from 1.10V VDD2/0.60V or 1.10V VDDQ
- 256 Meg x 32 configuration, LPDDR4, 2 die count
- 535ps, tCK RL = 32/36 cycle time
- Frequency range from 2133 to 10MHz (data rate range form 4266 to 20Mb/s/ pin)
- 16n prefetch DDR architecture, 8 internal banks per channel for concurrent operation
- Single-data-rate CMD/ADR entry, bidirectional/differential data strobe per byte lane
- Programmable READ and WRITE latencies (RL/WL), programmable and on-the-fly burst lengths (BL=16, 32)
- 200-ball WFBGA (Ø0.35 SMD) package
- Operating temperature range from -30 to +85°C
Spécifications techniques
DRAM Type
Mobile LPDDR4
Memory Density
8Gbit
Memory Configuration
256M x 32bit
Clock Frequency Max
1.866GHz
Memory Case Style
WFBGA
Supply Voltage Nom
1.1V
Access Time
-
Operating Temperature Max
85°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
DRAM Density
8Gbit
DRAM Memory Configuration
256M x 32bit
Clock Frequency
1.866GHz
IC Case / Package
WFBGA
No. of Pins
200Pins
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Min
-30°C
Product Range
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Dec-2015)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit