Imprimer la page
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
85 En Stock
Vous en voulez davantage ?
expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
Quantité | Prix |
---|---|
1+ | 0,040 $ |
10+ | 0,040 $ |
100+ | 0,040 $ |
1000+ | 0,040 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
0,04 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantMULTICOMP PRO
Réf. FabricantBC237B
Code Commande08N7616
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max45V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo45V
Continuous Collector Current100mA
Power Dissipation350mW
Power Dissipation Pd350mW
DC Collector Current100mA
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transistor Case StyleTO-92
Transition Frequency200MHz
DC Current Gain hFE Min200hFE
DC Current Gain hFE200hFE
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
The BC237B is a NPN silicon planar Epitaxial Transistor, best suited for use in driver stages of audio amplifiers, low noise input stages of tape recorders, Hi-Fi amplifiers, signal processing circuits of television receivers.
- 375°C/W Junction to Ambient Thermal Resistance
- Multicomp Pro products are rated 4.6 out of 5 stars
- 12 month limited warranty *view Terms & Conditions for details
- 96% of customers would recommend to a friend
Applications
Audio, Signal Processing, Power Management
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
45V
Power Dissipation
350mW
DC Collector Current
100mA
No. of Pins
3Pins
Transition Frequency
200MHz
DC Current Gain hFE
200hFE
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
45V
Continuous Collector Current
100mA
Power Dissipation Pd
350mW
Transistor Mounting
Through Hole
Transistor Case Style
TO-92
DC Current Gain hFE Min
200hFE
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit