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GAN111-650WSBQ
GAN TRANSISTOR, 650V, 21A, TO-247-3 ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
205 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 26,230 $ |
| 10+ | 20,530 $ |
| 25+ | 19,690 $ |
| 50+ | 18,810 $ |
| 100+ | 17,960 $ |
| 250+ | 17,090 $ |
| 600+ | 16,280 $ |
| 1200+ | 15,490 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
26,23 $
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantGAN111-650WSBQ
Code Commande14AM4309
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id21A
Drain Source On State Resistance0.114ohm
Typical Gate Charge4.9nC
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.114ohm
Transistor Case Style
TO-247
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
21A
Typical Gate Charge
4.9nC
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits