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NSF080120D7A0J
SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 33A, TO-263-7
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 24,980 $ |
| 10+ | 19,350 $ |
| 25+ | 18,870 $ |
| 50+ | 18,380 $ |
| 100+ | 17,880 $ |
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantNSF080120D7A0J
Code Commande03AM5741
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id33A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.064ohm
Transistor Case StyleTO-263
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max2.9V
Power Dissipation167W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
33A
Drain Source On State Resistance
0.064ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.9V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-263
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
167W
Product Range
-
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
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