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AFT09MS015NT1
RF FET Transistor, 40 VDC, 125 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 13 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 500+ | 5,430 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1000
Multiple: 1000
5 430,00 $
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Informations produit
FabricantNXP
Réf. FabricantAFT09MS015NT1
Code Commande44X7175
Fiche technique
Drain Source Voltage Vds40VDC
Continuous Drain Current Id-
Power Dissipation125W
Operating Frequency Min136MHz
Power Dissipation Pd125W
Operating Frequency Max941MHz
Transistor Case StylePLD-1.5W
RF Transistor CasePLD-1.5W
No. of Pins2Pins
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
- RF power LDMOS transistor
- Characterized for operation from 136 to 941MHz
- Unmatched input and output allowing wide frequency range utilization
- Integrated ESD protection
- Integrated stability enhancements
- Exceptional thermal performance
- High ruggedness N-channel enhancement mode lateral MOSFET
Spécifications techniques
Drain Source Voltage Vds
40VDC
Power Dissipation
125W
Power Dissipation Pd
125W
Transistor Case Style
PLD-1.5W
No. of Pins
2Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
-
Operating Frequency Min
136MHz
Operating Frequency Max
941MHz
RF Transistor Case
PLD-1.5W
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit