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BFU590GX
Bipolar - RF Transistor, NPN, 12 V, 8.5 GHz, 2 W, 80 mA, SOT-223
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 13 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,700 $ |
| 10+ | 1,360 $ |
| 25+ | 1,280 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,70 $
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Informations produit
FabricantNXP
Réf. FabricantBFU590GX
Code Commande31AC6246
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max12V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo12V
Transition Frequency8.5GHz
Power Dissipation Pd2W
Power Dissipation2W
DC Collector Current80mA
Continuous Collector Current200mA
DC Current Gain hFE60hFE
Transistor Case StyleSOT-223
No. of Pins4Pins
RF Transistor CaseSOT-223
DC Current Gain hFE Min60hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
BFU590GX is a NPN wideband silicon RF transistor for high speed, medium power applications in a plastic, 4-pin SOT223 package. The BFU590G is part of the BFU5 family of transistors, suitable for small signal to medium power applications up to 2GHz. Typical applications include automotive applications, broadband amplifiers, medium power amplifiers (500mW at a frequency of 433MHz or 866MHz) and large signal amplifiers for ISM applications.
- 24V collector-base voltage, 12V collector-emitter voltage, 2V emitter-base voltage
- Medium power, high linearity, high breakdown voltage RF transistor
- 95 typical DC gain
- Maximum stable gain is 13dB at 900MHz
- AEC-Q101 qualified
- Output power at 1dB gain compression PL(1dB) is 21.5dBm at 900MHz
- 8.5GHz transition frequency
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
12V
Power Dissipation Pd
2W
DC Collector Current
80mA
DC Current Gain hFE
60hFE
No. of Pins
4Pins
DC Current Gain hFE Min
60hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
12V
Transition Frequency
8.5GHz
Power Dissipation
2W
Continuous Collector Current
200mA
Transistor Case Style
SOT-223
RF Transistor Case
SOT-223
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour BFU590GX
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit