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MRFE6VP5150GNR1
RF FET Transistor, LDMOS, 139 V, 952 W, 1.8 MHz, 600 MHz, TO-270WBG
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Informations produit
FabricantNXP
Réf. FabricantMRFE6VP5150GNR1
Code Commande85AC2003
Fiche technique
Drain Source Voltage Vds139V
Continuous Drain Current Id-
Power Dissipation952W
Operating Frequency Min1.8MHz
Power Dissipation Pd952W
Operating Frequency Max600MHz
Transistor Case StyleTO-270WBG
No. of Pins4Pins
RF Transistor CaseTO-270WB
Operating Temperature Max225°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
MSLMSL 3 - 168 hours
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produits de remplacement pour MRFE6VP5150GNR1
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Aperçu du produit
- RF power LDMOS transistor
- Wide operating frequency range from 1.8 to 600MHz
- Unmatched input and output allowing wide frequency range utilization
- Integrated ESD protection circuitry
- Integrated stability enhancements
- Low thermal resistance
- High ruggedness N-channel enhancement mode lateral MOSFET
Spécifications techniques
Drain Source Voltage Vds
139V
Power Dissipation
952W
Power Dissipation Pd
952W
Transistor Case Style
TO-270WBG
RF Transistor Case
TO-270WB
Channel Type
N Channel
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Continuous Drain Current Id
-
Operating Frequency Min
1.8MHz
Operating Frequency Max
600MHz
No. of Pins
4Pins
Operating Temperature Max
225°C
Transistor Mounting
Surface Mount
MSL
MSL 3 - 168 hours
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit