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FCB125N65S3
MOSFET, N-CH, 650V, 24A, TO-263 ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFCB125N65S3
Code Commande82AH7053
Gamme de produitSuperFET III
Fiche technique
1 016 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 8,820 $ |
| 10+ | 6,900 $ |
| 25+ | 6,450 $ |
| 50+ | 6,020 $ |
| 100+ | 5,580 $ |
| 250+ | 5,560 $ |
| 500+ | 5,380 $ |
| 1600+ | 5,040 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
8,82 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFCB125N65S3
Code Commande82AH7053
Gamme de produitSuperFET III
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id24A
Drain Source On State Resistance0.105ohm
On Resistance Rds(on)0.105ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation Pd181W
Power Dissipation181W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSuperFET III
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.105ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
181W
No. of Pins
3Pins
Product Range
SuperFET III
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
24A
On Resistance Rds(on)
0.105ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation
181W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits