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FCD360N65S3R0
MOSFET, N-CH, 650V, 10A, TO-252
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFCD360N65S3R0
Code Commande62AC6858
Gamme de produitSUPERFET III
Fiche technique
2 240 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,900 $ |
| 10+ | 2,490 $ |
| 25+ | 2,380 $ |
| 50+ | 2,270 $ |
| 100+ | 2,160 $ |
| 250+ | 2,080 $ |
| 500+ | 2,020 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
2,90 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFCD360N65S3R0
Code Commande62AC6858
Gamme de produitSUPERFET III
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id10A
On Resistance Rds(on)0.31ohm
Drain Source On State Resistance0.31ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd83W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation83W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSUPERFET III
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.31ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Power Dissipation Pd
83W
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
SUPERFET III
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
10A
Drain Source On State Resistance
0.31ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
83W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour FCD360N65S3R0
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits