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512 En Stock
Quantité | Prix |
---|---|
1+ | 9,180 $ |
10+ | 8,540 $ |
25+ | 7,900 $ |
50+ | 7,260 $ |
100+ | 7,230 $ |
250+ | 7,090 $ |
500+ | 6,950 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFCP067N65S3
Code Commande84Y5814
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id44A
Drain Source On State Resistance0.059ohm
On Resistance Rds(on)0.059ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd312W
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation312W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.059ohm
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
44A
On Resistance Rds(on)
0.059ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
312W
Power Dissipation
312W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Produits associés
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits