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FDB0250N807L
MOSFET, N-CH, 80V, 240A, TO-263-7
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDB0250N807L
Code Commande84Y5823
Gamme de produitPowerTrench
Fiche technique
Options de conditionnement
107 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 10,070 $ |
| 10+ | 7,260 $ |
| 25+ | 6,720 $ |
| 50+ | 6,160 $ |
| 100+ | 5,620 $ |
| 250+ | 5,360 $ |
| 500+ | 5,080 $ |
| 1600+ | 4,810 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
10,07 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDB0250N807L
Code Commande84Y5823
Gamme de produitPowerTrench
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id240A
On Resistance Rds(on)0.0016ohm
Drain Source On State Resistance1600µohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd214W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.9V
Power Dissipation214W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangePowerTrench
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
On Resistance Rds(on)
0.0016ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Power Dissipation Pd
214W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.9V
No. of Pins
7Pins
Product Range
PowerTrench
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
240A
Drain Source On State Resistance
1600µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
214W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Produits associés
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits