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FDB0260N1007L
MOSFET, N-CH, 100V, 200A, TO-263-7
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDB0260N1007L
Code Commande84Y5824
Gamme de produitPowerTrench
Fiche technique
1 195 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 16,700 $ |
| 10+ | 13,390 $ |
| 25+ | 13,350 $ |
| 50+ | 12,420 $ |
| 100+ | 11,600 $ |
| 250+ | 11,460 $ |
| 500+ | 11,250 $ |
| 1600+ | 11,030 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
16,70 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDB0260N1007L
Code Commande84Y5824
Gamme de produitPowerTrench
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id200A
On Resistance Rds(on)0.0023ohm
Drain Source On State Resistance0.0023ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd250W
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation250W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangePowerTrench
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0023ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
No. of Pins
7Pins
Product Range
PowerTrench
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
200A
Drain Source On State Resistance
0.0023ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
250W
Power Dissipation
250W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Produits associés
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits