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4 492 En Stock
Quantité | Prix |
---|---|
1+ | 4,080 $ |
10+ | 3,120 $ |
100+ | 2,270 $ |
500+ | 2,100 $ |
1600+ | 1,960 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDB33N25TM
Code Commande95W3149
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds250V
Continuous Drain Current Id33A
On Resistance Rds(on)0.077ohm
Drain Source On State Resistance0.094ohm
Transistor Case StyleTO-263AB
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd235W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation235W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
250V
On Resistance Rds(on)
0.077ohm
Transistor Case Style
TO-263AB
Power Dissipation Pd
235W
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
33A
Drain Source On State Resistance
0.094ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
235W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits