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FDMS86350ET80
MOSFET, N-CH, 80V, 198A, 175DEG C, 187W ROHS COMPLIANT: YES
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2 040 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 7,270 $ |
| 10+ | 5,770 $ |
| 25+ | 5,510 $ |
| 50+ | 5,260 $ |
| 100+ | 4,990 $ |
| 250+ | 4,970 $ |
| 500+ | 4,950 $ |
| 1000+ | 4,920 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
7,27 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDMS86350ET80
Code Commande54AH8644
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id198A
On Resistance Rds(on)0.002ohm
Drain Source On State Resistance2000µohm
Transistor Case StylePower 56
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.8V
Power Dissipation187W
Power Dissipation Pd187W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
On Resistance Rds(on)
0.002ohm
Transistor Case Style
Power 56
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
187W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
198A
Drain Source On State Resistance
2000µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.8V
Power Dissipation Pd
187W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour FDMS86350ET80
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits