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FDN359AN
MOSFET Transistor, N Channel, 2.7 A, 30 V, 46 mohm, 10 V, 1.6 V RoHS Compliant: Yes
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
39 675 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,834 $ |
| 10+ | 0,597 $ |
| 25+ | 0,534 $ |
| 50+ | 0,473 $ |
| 100+ | 0,410 $ |
| 250+ | 0,363 $ |
| 500+ | 0,315 $ |
| 1000+ | 0,281 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
4,17 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDN359AN
Code Commande25M9463
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id2.7A
On Resistance Rds(on)0.046ohm
Drain Source On State Resistance0.046ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd500mW
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
Power Dissipation500mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.046ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation Pd
500mW
Gate Source Threshold Voltage Max
1.6V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.7A
Drain Source On State Resistance
0.046ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits